Тема. Дослідження біполярних транзисторів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench

Скачати 57.21 Kb.

Назва	Тема. Дослідження біполярних транзисторів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench
Дата	04.06.2013
Розмір	57.21 Kb.
Тип	Документи

bibl.com.ua > Військова справа > Документи

8 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №4
Тема. Дослідження біполярних транзисторів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench.
Мета роботи: вивчення принципу дії та властивостей, дослідження характеристик, ознайомлення з основними параметрами та використанням біполярних транзисторів.
Теоретичні відомості

Р

озрізняють три схеми увімкнення біполярних транзисторів: із спільною базою (СБ), із спільним емітером (СЕ), із спільним колектором (СК), показані на рис.8.1

СБ) СЕ) СК)

Рисунок 8.1 - Основні схеми увімкнення транзисторів

У бібліотеку EWB включена досить велика кількість імпортних біполярних транзисторів. У деяких випадках може виявитися більш зручним самостійно створити окрему бібліотеку вітчизняних транзисторів, використовуючи команду Model з меню Circuit.

До складу параметрів транзисторів включені такі параметри (див. рис. 8.2):

IS - зворотний струм колекторного переходу, A;

BF - коефіцієнт підсилення струму в схемі з ЗЕ H₂₁;

BR - коефіцієнт підсилення струму в схемі з ЗЕ при інверсному увімкненні транзистора, емітер і колектор міняються місцями;

RB - об'ємний опір бази, Ом;

RE - об'ємний опір емітера, Ом;

RC - об'ємний опір колектора, Ом;

CS - ємність колектор-підкладка, Ф;

СE - ємність емітерного переходу при нульовій напрузі, Ф;

CC - ємність колекторного переходу при нульовій напрузі, Ф;
Набір параметрів, що задаються, для біполярних транзисторів у EWB 5.0 значно більший, ніж у EWB 4.1 - вони зібрані в п'ятьох вікнах-закладках. Додаткові параметри знаходяться в останніх чотирьох закладках, одна з яких показана на рис. 8.3. Ці параметри мають таке п

ризначення:
Рисунок 8.2 - Діалогове вікно установки параметрів біполярних транзисторів

Рисунок 8.3 - Додаткові параметри біполярних транзисторів
NR - коефіцієнт неідеальності в інверсному режимі;

VAR – зворотна напруга;

IKR – значення струму, при якому розпочинається зменшення коефіцієнта підсилення в інверсному режимі, А;

ISC – зворотний струм колекторного переходу;

NC - коефіцієнт неідеальності колекторного переходу;

IRB - струм бази, при якому опір бази зменшується на 50% від різниці RB-RBM, A;

RBM - мінімальний опір бази при великих струмах, Ом;

XTF - коефіцієнт, що визначає залежність часу TF переносу зарядів через базу від напруги колектор-база;

VTF - напруга колектор-база, при якій починає позначатися його вплив на TF, В;

ITF - струм колектора, при якому починається позначатися його вплив на TF, А;

TF - час переносу заряду через базу, с;

TR - час переносу заряду через базу в інверсному вмиканні, с;

ME - коефіцієнт плавності емітерного переходу;

MC - коефіцієнт плавності колекторного переходу;

VA - напруга Ерлі, близька до параметра U_{к max}, В;

ISE - зворотний струм емітерного переходу, А;

IKF - струм спаду посилення за струмом, близький до параметра I_кmax, А;

NE - коефіцієнт неідеальності емітерного переходу;

VJC - контактна різниця потенціалів переходу база-колектор, В;

VJE - контактна різниця потенціалів переходу база-емітер, В;

NF - коефіцієнт неідеальності в нормальному режимі;

PTF - додатковий фазовий зсув на граничній частоті транзистора F_гр=1/(2ТF), град.;

VJS - контактна різниця потенціалів переходу колектор-підкладка,В;

MJS - коефіцієнт плавності переходу колектор-підкладка;

XCJC - коефіцієнт розщеплення ємності база-колектор;

FC - коефіцієнт нелінійності бар'єрної ємності прямозміщених переходів;

EG - ширина забороненої зони, еВ;

ХТВ - температурний коефіцієнт підсилення струму в нормальному й інверсному режимах;

XТI - температурний коефіцієнт струму насичення;

КF - коефіцієнт флікер-шуму;

AF - показник ступеня у формулі для флікер-шуму;

TNOM - температура транзистора, С⁰.
У програмі EWB використовується модель біполярного транзистора Гуммеля-Пуна.

Розглянемо способи вимірювання основних характеристик біполярних транзисторів.

Вольтамперні характеристики. Більш розповсюдженою і простішою моделлю (у порівнянні з моделлю Гуммеля-Пуна) біполярного транзистора є модель Еберса-Молла. Відповідно до цієї моделі статичні вхідні і вихідні ВАХ транзистора в схемі з СБ описуються такими рівняннями:

(8.1)

(8.2)
де A=exp(U_eb/U_t)-l;

C=exp(U_kb/U_t)-l;

I'_eo=DI_eo; I'_ko=DI_k_o;

D=1-';

I_eo,I_ko— теплові струми колекторного і емітерного переходів;

,'— коефіцієнти передачі струму в схемі з СБ для прямого й інверсного вмикання транзистора;

U_kb, U_eb — напруга на колекторі і емітері відносно бази.
С

хема для дослідження вихідних ВАХ транзистора показана на рис.8.4. Сімейство вихідних ВАХ I_e, f (U_eb) знімається при фіксованих значеннях U_kb шляхом зміни струму I_e і вимірювання U_eb. Сімейство вихідних ВАХ I_k= f(U_bk) знімається при фіксованих значеннях I_e шляхом зміни напруги U_bk, і вимірювання I_k.
Рисунок 8.4 - Схема для дослідження вихідних ВАХ біполярного транзистора
Модуль коефіцієнта передачі струму |H_21э| на високій частоті можна визначити за допомогою схеми (рис. 8.5).

Режим за постійним струмом транзистора задається за допомогою джерела струму I_e (5mA), як джерело вхідного синусоїдального сигналу використовується джерело струму Ii (1mA, при вимірюваннях частота варіюється в межах від одиниць до десятків МГц), струм бази I_b і колектора I_k вимірюється амперметрами в режимі АС. Конденсатор Сb - блокувальний (так звана розв'язка на високих частотах). Модуль коефіцієнта передачі струму |H_21э|=I_k/I_b розраховується за показниками а

мперметрів. Зокрема, при частоті вхідного сигналу 1 МГц він дорівнює, відповідно до показань амперметрів (див. рис. 8.5), 4952/49,52100.
Рисунок 8.5 - Схема для вимірювання коефіцієнта передачі струму на високій частоті
Н

а рисунку 8.6 наведено приклад створення моделей вітчизняних транзисторів:

Рисунок 8.6 - Створення моделі транзистора
Model IDEAL NPN : Ідеальній транзистор с іменем IDEAL структури п-р-п.

.model KT361A p-n-p (Is=23.68f Хti=3 Еg=1.11Vaf=60 Ne=1.206 Ise=23.68f Ikf=.1224 Xtb=1.5 Br=4.387 GNc=1.8 Isc=900p Ikr=20m Rc=5 Cjc=7p Mjc=.333 Vjc=.7 Fc=.5 Cje=10p Mie=.333 Vje=.7 Tr=130.5n Tf=0.1n Itf=40m Vtt=80Xtf=l.l Rb=10)

.model KT3102A P-N-P (Is=5.258f Xti=3 Eg=l.ll Vaf=86 Bf=185 Ne=7.428 Ise=28.2ln Ikf=.4922 Xtb=1.5 Var=2 SBr=2.713 Nc=2 Isc=21.2p. Ikr=.2S Rb=52 Rc=1.6S Cjc=9.921p Vjc=.65 Mjc=.33Fc=.5 Cje=11.3p Vje=.69 Mje=.ЗЗ Tr=57.71n Tf=611.5p Itf=.52 Vtf=80Xtf=2)

.model KT3107A PNP (Is=5.2f Xti=3 Eg=l.ll Vaf=86Bf=140Ne=7.4 Ise=28n Ilcf=,49 Xtb=1.5 Var=2S Br=2.7 Nc=2 Isc=21p Ikr=.25 Rb=SO Rc=1.65 Cjc=10p Vjc=.6S Mjc=.33Fc=,5 Cje=11.3p Vje=.7 Mje=.33 Tr=58n Tf=62p Itf=.52Vtf=80Xtf=2)

.model KT312A P-N-P (Is=21f Xti=3 Eg-1.11 Vat= 126.2 Bf=86.76 Ne=1.328 Ise=189f Ikf=.164 Nk=.5 Xtb=1.5 Br=l Nc=l.385 Isc=66.74p Ikr=1.812 Rc=0.897 Rb=300 Cjc=8p Mjc=.29 Vjc=.692 Fc=.S Cje=26.53p Mje=.333+ Vje=,75 Tr=10nTf=1.743n Itf=l)
Порядок виконання роботи

1. Розгляньте схеми на рис. 8.7 - 8.9 і виконайте їх моделювання

2. Запустіть Electronics Workbench.

3

. Підготуйте новий файл для роботи. Для цього необхідно виконати такі операції з меню: File/New і File/Save as. При виконанні операції Save as буде необхідно вказати ім'я файлу і каталог, у якому буде зберігатися схема.

Р

исунок 8.7 - Схема для визначення вхідної ВАХ (СЕ)

Рисунок 8.8 - Схема для визначення вихідної ВАХ (СЕ)

Рисунок 8.9 - Схема для визначення вихідної ВАХ (СБ)
4. Перенесіть необхідні елементи з заданої схеми на робочу область Electronics Workbench. Для цього необхідно вибрати розділ на панелі інструментів (Sources, Basic, Diodes, Transistors, Analog Ics, Mixed Ics, Digital Ics, Logic Gates, Digital, Indicators, Controls, Miscellaneous, Instruments), у якому знаходиться потрібний вам елемент, потім перенести його на робочу область.

5. З'єднайте виводи елементів і розташуйте елементи в робочій області для одержання необхідної вам схеми. Для з'єднання двох контактів необхідно клацнути на один з контактів лівою кнопкою миші і, не відпускаючи клавішу, довести курсор до другого контакту. У разі потреби можна додати додаткові вузли (розгалуження). Натисканням на елементі правою кнопкою миші можна одержати швидкий доступ до найпростіших операцій над положенням елементу, таким як обертання (rotate), розворот (flip), копіювання/вирізання (copy/cut), вставка (paste).

6. Проставте необхідні номінали і властивості кожного елементу. Для цього потрібно двічі виконати подвійне натискування лівою кнопкою миші на зображенні елементу.

7. Коли схема зібрана і готова до запуску, натисніть кнопку ввімкнення живлення на панелі інструментів. У випадку серйозної помилки в схемі (замикання елементу живлення накоротко, відсутність нульового потенціалу в схемі) буде видано попередження.

8. Зробіть аналіз схеми, використовуючи інструменти індикації. Виклик термінала здійснюється подвійним натисканням клавіші миші на елементі. У випадку потреби можна скористатися кнопкою Pause.

9. Занесіть пояснення щодо створення схем у звіт.

10. Зробіть висновки.
Контрольні запитання

Опишіть принцип дії БТ, приведіть його схеми ввімкнення та статичні ВАХ.
Які три області (режими) роботи має БТ?
Чим визначаються частотні властивості БТ?

Схожі:

Тема. Дослідження польових транзисторів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench Мета роботи: вивчення принципу дії та властивостей, дослідження характеристик, ознайомлення з основними параметрами та використанням...	Тема. Ознайомлення з інтерфейсом та основними можливостями програмного... Мета роботи: освоїти інтерфейс програми Electronics Workbench і навчитися за її допомогою створювати і досліджувати віртуальні принципові...
Тема: Ознайомлення з інтерфейсом та основними можливостями програмного... Мета роботи: освоїти інтерфейс програми Electronics Workbench і навчитися за її допомогою створювати і досліджувати віртуальні принципові...	Тема. Дослідження тиристорів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench Мета роботи: вивчення принципу дії та властивостей, дослідження характеристик, ознайомлення з основними параметрами та використанням...
Тема. Дослідження підсилювальних каскадів за допомогою програмного... Мета роботи: вивчення принципу дії та властивостей, дослідження характеристик підсилювальних каскадів	Тема. Дослідження напівпровідникових діодів за допомогою програмного... Мета роботи: вивчення принципів дії та основних властивостей напівпровідникових діодів, стабілітронів; дослідження їх вольтамперних...
Тема. Дослідження операційного підсилювача за допомогою програмного... Мета роботи: вивчення принципів роботи, головних параметрів та характеристик операційного підсилювача ОП, дослідження ОП у вигляді...	3 МОДЕЛЮВАННЯ РАДІОЕЛЕКТРОННИХ ПРИСТРОЇВ ЗА ДОПОМОГОЮ ПРОГРАМНОГО... Для роботи з програмним комплексом Electronics Workbench V 0C необхідний IBM сумісний персональний комп’ютер з процесором I486 (рекомендується...
Проекту Розробити та реалізувати в інтерактивному комп'ютерному середовищі для моделювання електронних пристроїв Electronics Workbench способи...	Проекту Розробити та реалізувати в інтерактивному комп'ютерному середовищі для моделювання електронних пристроїв Electronics Workbench способи...

Додайте кнопку на своєму сайті:
Портал навчання