|
Скачати 38.34 Kb.
|
10 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №6 Тема. Дослідження тиристорів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench. Мета роботи: вивчення принципу дії та властивостей, дослідження характеристик, ознайомлення з основними параметрами та використанням тиристорів. Теоретичні відомості Перемикальні діоди із р-п-р-п- чи п-р-п-р-структурами — це тиристори. Тиристори, що мають виводи від крайніх електродів, називають диністорами, а прилади з додатковим третім виводом (від одного із середніх електродів) — триністорами. Крім того, до класу тиристорів відносяться симетричні диністори (діаки), симетричні триністори (тріаки) і досить рідкий тип диністора — діод Шоклі, у якому структура р-п-р-п організована за рахунок наявності в р-п-переході пасток, формованих шляхом легування. На рис.10.1 приведені позначення перемикальних діодів, моделі яких є в програмі EWB 4.1: діод Шоклі; тиристори або диністори; симетричний диністор або діак; симетричний триністор або тріак. Рисунок 10.1 - Перемикальні діоди Для перемикальних діодів можна задати значення таких параметрів (для EWB 5.0 їхні позначення вказуються в квадратних дужках): IS - зворотний струм диністора, А; VS - напруга, при якій диністор перемикається у відкритий стан, В; CJO - бар'єрна ємність диністора при нульовій напрузі на переході, Ф. Перераховані параметри можна задати за допомогою діалогових вікон, аналогічних приведеним на рис. 10.2 для триністора. IDRM - зворотний струм триністора, А; VDRM - напруга, при якій триністор перемикається у відкритий стан, при нульовій напрузі на керувальному електроді, В; VTM - спад напруги у відкритому стані, В; ITM - струм у відкритому стані, А; TG - час перемикання в закритий стан, с; DV/DT - допустима швидкість зміни напруги на аноді триністора, при якому він продовжує залишатися в закритому стані (при більшій швидкості триністор відкривається), В/мкс; IH - мінімальний струм у відкритому стані (якщо він менше встановленого, то прилад переходить у закритий стан), А; VGT - напруга на керувальному електроді відкритого триністора, В; IGT - струм керувального електрода, А; V D - напруга, що відмикає, на керувальному електроді, В. Рисунок 10.2 - Діалогове вікно установки параметрів тиристора Д ослідження прямої гілки ВАХ тиристора можна проводити з використанням схеми на рис.10.3, на якому показані джерела вхідної напруги Ui і напруги керування Uy із захисними резисторами Rzt, Rzy. Рисунок 10.3 - Схема дослідження тиристора Вимірювання ВАХ здійснюється при зміні Ui від нуля до Udrm +50 при фіксованому значенні Uy, наприклад, у трьох точках 0,5Vd, Vd і l,5Vd. При дослідженні зворотної гілки ВАХ міняється тільки полярність Ui. С лід відзначити, що зняття ВАХ перемикальних діодів може бути здійснене в режимі фіксованих струмів у силовому і керувальному колах, тобто за допомогою схем приведених на рис. 10.4 і 10.5. Р исунок 10.4 - Схема для побудови прямої гілки ВАХ тиристора в режимі фіксованих струмів анода Рисунок 10.5 - Схема для побудови прямої гілки ВАХ тиристора в режимі фіксованих струмів керувального електрода Порядок виконання роботи 1. Розгляньте схему на рис. 10.6 і виконайте її моделювання. 2. Запустіть Electronics Workbench. 3. Підготуйте новий файл для роботи. Для цього необхідно виконати такі операції з меню: File/New і File/Save as. При виконанні операції Save as буде необхідно вказати ім'я файлу і каталог, у якому буде зберігатися схема. 4. Перенесіть необхідні елементи з заданої схеми на робочу область Electronics Workbench. Для цього необхідно вибрати розділ на панелі інструментів (Sources, Basic, Diodes, Transistors, Analog Ics, Mixed Ics, Digital Ics, Logic Gates, Digital, Indicators, Controls, Miscellaneous, Instruments), у якому знаходиться потрібний вам елемент, потім перенести його на робочу область. Р исунок 10.6 - Схема для лабораторного дослідження тиристора 5. З'єднайте контакти елементів і розташуйте елементи в робочій області для одержання необхідної вам схеми. Для з'єднання двох контактів необхідно клацнути на один з контактів лівою кнопкою миші і, не відпускаючи клавішу, довести курсор до другого контакту. У разі потреби можна додати додаткові вузли (розгалуження). Натисканням на елементі правою кнопкою миші можна одержати швидкий доступ до найпростіших операцій над положенням елементу, таким як обертання (rotate), розворот (flip), копіювання/вирізання (copy/cut), вставка (paste). 6. Проставте необхідні номінали і властивості кожному елементу. Для цього потрібно двічі виконати подвійне натискування лівою кнопкою миші на зображенні елементу. 7. Коли схема зібрана і готова до запуску, натисніть кнопку ввімкнення живлення на панелі інструментів. У випадку серйозної помилки в схемі (замикання елементу живлення накоротко, відсутність нульового потенціалу в схемі) буде видано попередження. 8. Зробіть аналіз схеми, використовуючи інструменти індикації. Виклик термінала здійснюється подвійним натисканням клавіші миші на елементі. У випадку потреби можна скористатися кнопкою Pause. 9. При необхідності зробіть доступні аналізи в розділі меню Analysis. 10. Занесіть пояснення щодо створення схем у звіт. 11. Зробіть висновки. Контрольні запитання 1. Тиристори, будова, принципи дії. 2. ВАХ тиристорів. 3. Типи тиристорів, їх особливості. 4. Характеристичні параметри. |
Тема: Ознайомлення з інтерфейсом та основними можливостями програмного... Мета роботи: освоїти інтерфейс програми Electronics Workbench і навчитися за її допомогою створювати і досліджувати віртуальні принципові... |
Тема. Ознайомлення з інтерфейсом та основними можливостями програмного... Мета роботи: освоїти інтерфейс програми Electronics Workbench і навчитися за її допомогою створювати і досліджувати віртуальні принципові... |
Тема. Дослідження підсилювальних каскадів за допомогою програмного... Мета роботи: вивчення принципу дії та властивостей, дослідження характеристик підсилювальних каскадів |
Тема. Дослідження біполярних транзисторів за допомогою програмного... Мета роботи: вивчення принципу дії та властивостей, дослідження характеристик, ознайомлення з основними параметрами та використанням... |
Тема. Дослідження польових транзисторів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench Мета роботи: вивчення принципу дії та властивостей, дослідження характеристик, ознайомлення з основними параметрами та використанням... |
Тема. Дослідження напівпровідникових діодів за допомогою програмного... Мета роботи: вивчення принципів дії та основних властивостей напівпровідникових діодів, стабілітронів; дослідження їх вольтамперних... |
Тема. Дослідження операційного підсилювача за допомогою програмного... Мета роботи: вивчення принципів роботи, головних параметрів та характеристик операційного підсилювача ОП, дослідження ОП у вигляді... |
3 МОДЕЛЮВАННЯ РАДІОЕЛЕКТРОННИХ ПРИСТРОЇВ ЗА ДОПОМОГОЮ ПРОГРАМНОГО... Для роботи з програмним комплексом Electronics Workbench V 0C необхідний IBM сумісний персональний комп’ютер з процесором I486 (рекомендується... |
Проекту Розробити та реалізувати в інтерактивному комп'ютерному середовищі для моделювання електронних пристроїв Electronics Workbench способи... |
Проекту Розробити та реалізувати в інтерактивному комп'ютерному середовищі для моделювання електронних пристроїв Electronics Workbench способи... |