Тема. Дослідження напівпровідникових діодів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench

6 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №2 Тема. Дослідження напівпровідникових діодів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench. Мета роботи: вивчення принципів дії та основних властивостей напівпровідникових діодів, стабілітронів; дослідження їх вольтамперних характеристик, ознайомлення з основними параметрами та використанням. Теоретичні відомості Р озділ “Diodes” (рис. 6.1) містить напівпровідникові діоди, стабілітрони, світлодіоди, тиристори або диністори, симетричний диністор або діак, симетричний триністор або тріак, випрямний міст. Рисунок 6.1 Зовнішній вигляд меню Diodes напівпровідникові діоди; стабілітрони; світлодіоди; випрямний міст; діод Шоклі; тиристори або диністори; симетричний диністор або діак; симетричний триністор або тріак. Розглянемо властивості діода, які задаються користувачем, для цього потрібно натиснути два рази лівою кнопкою мишки на діоді та в діалоговому вікні “Diode Properties” вибрати потрібний діод на закладці “Models”. Якщо потрібно змінити параметри то натисніть кнопку “Edit”. У діалоговому вікні, яке складається із двох однакових на зовнішній вигляд закладок ( перша із них показана на рис. 6.2, друга показана на рис. 6.3), задати такі параметри діода: Рисунок 6.2 - Зовнішній вигляд меню для встановлення параметрів діода Рисунок 6.3 - Зовнішній вигляд меню для встановлення додаткових параметрів діода IS – зворотний струм діода, А; RS – обємний опір, Ом; CJO - бар’єрна ємность p-n переходу при нульовій напрузі, Ф; VJ – контактна різниця потенціалів, В; TT – час переносу заряда, с; M – конструктивний параметр p-n переходу; BV – напруга пробою, В; для стабілітронів замість цього параметра використовується параметр VZT – напруга стабілізації; N – коефіцієнт інжекції; EG – ширина забороненої зони, еВ; XTI – температурний коефіцієнт струму насичення; KF – коефіцієнт флікер-шуму; AF – показник степеня в формулі для флікер-шуму; FC – коефіцієнт нелінійності бар’єрної ємності прямозміщеного переходу; ІBV –початковий струм пробою при напрузі BV, А; для стабілітронів замість цього параметра використовується параметр ІZT – початковий струм стабілізації; TNOM – температура діода, С. Е квівалентні схеми діода показані на рис. 6.4, а, б, на яких позначено: А – анод, К – катод, І – джерело струму, Rs – об’ємний опір, С – ємність переходу, Gmin – провідність, обумовлена зворотним струмом переходу. Рисунок 6.4 - Еквівалентні схеми діода Вольтамперна характеристика діода визначається такими виразами: для прямої гілки (6.1) для зворотної гілки (6.2) (6.3) (6.4) (6.5) де І0=Іs – зворотний струм діода при температурі TNOM ; N– коефіцієнт інжекції; BV, IBV – напруга і струм пробою; Ut –температурний потенціал переходу; U– напруга на діоді. При розрахунку перехідних процесів використовуються еквівалентна схема діода (рис. 6.4,б) для якої ємність переходу визначається за допомогою виразів: (6.6) (6.7) В приведених формулах  – час переносу заряду; CJO – бар’єрна ємність при нульовому зміщенні на переході; VJ – контактна різниця потенціалів; m = 0,33…0,5 – параметр переходу. Дослідження прямої гілки ВАХ діода може бути проведено за допомогою схеми рис. 6.5. Рисунок 6.5 - Дослідження прямої гілки ВАХ діода Вона складається із джерела струму І, амперметра А (можливо обійтись і без нього, оскільки струм в амперметрі точно рівний заданому), досліджуваного діода VD і вольтметра V для вимірювання напруги на діоді. Д ля дослідження зворотної гілки ВАХ діода використовується схема на рис. 6.6. Рисунок 6.6 - Дослідження зворотної гілки ВАХ діода В ній замість джерела струму використовується Ui із запобіжним резистором Rz для обмеження струму через діод в разі його пробою. Крім окремих діодів, в бібліотеці EWB є також діодний міст, для якого можна додатково задавати коефіцієнт емісії N (Emission Coefficient). С вітлодіод - спеціально сконструйований діод, в якому передбачена можливість виводу світлового випромінювання із області переходу скрізь прозоре вікно в корпусі. Рисунок 6.7 – Вибір типу діода При проходженні через діод струму в прилягаючих до переходу областях напівпровідника відбувається інтенсивна рекомбінація носіїв зарядів – електронів та дірок. Частина вивільнюваної енергії виділяться у вигляді квантів світла. В залежності від ширини забороненої зони напівпровідника випромінювання може мати довжину хвилі або в області видимого оком світла,, або невидимого інфрачервоного випромінювання. Випромінювання переходів на основі арсеніду галію має довжину хвилі біля 0,8 мкм. Переходи із карбіду кремнію чи фосфіду галію випромінюють видиме світло в діапазоні від червоного до голубого кольору. Р исунок 6.8 – Визначення параметрів діода Рисунок 6.9 – Додаткові параметри діода Важливими параметрами світлодіода являються: яскравість, (вимірюється в нітах при визначеному значені прямого струму), колір світіння (чи спектральний склад випромінювання). Для світлодіода додатково вказується мінімальний струм в прямому направлені “Turn-on current!” (Ion), при перевищені якого світлодіод загоряється. Для вимірювання ВАХ світлодіодів можна використовувати приведені вище схеми. На рис. 6.7-6.9 приведений приклад створення моделей вітчизняних діодів: D814AD (Is=3,92E-12 RS=1,25 Cjo=41,15 Vj=0,73 TT=49,11 M=0,41 BV=8 N=1.19 EG=1.11 Xti=3 FC=0.5 IBV=0.5). Порядок виконання роботи 1. Запустіть Electronics Workbench. 2 . Підготуйте новий файл для роботи. Для цього необхідно виконати такі операції з меню: File/New і File/Save as. При виконанні операції Save as буде необхідно вказати ім'я файлу і каталог, у якому буде зберігатися схема. Рисунок 6.10 – Схема для визначення прямої гілки ВАХ Рисунок 6.11– Схема для визначення зворотної гілки ВАХ 3. Розгляньте схеми на рис. 6.10 – 6.14, і послідовно виконайте їх моделювання. Р исунок 6.12 – Пряме ввімкнення діода Рисунок 6.13 – Зворотне ввімкнення діода 4. Перенесіть необхідні елементи з заданої схеми на робочу область Electronics Workbench. Для цього необхідно вибрати розділ на панелі інструментів (Sources, Basic, Diodes, Transistors, Analog Ics, Mixed Ics, Digital Ics, Logic Gates, Digital, Indicators, Controls, Miscellaneous, Instruments), у якому знаходиться потрібний вам елемент, потім перенести його на робочу область. 5. З'єднайте контакти елементів і розташуйте елементи в робочій області для одержання необхідної вам схеми. Для з'єднання двох контактів необхідно клацнути на один з контактів лівою кнопкою миші і, не відпускаючи клавішу, довести курсор до другого контакту. У разі потреби можна додати додаткові вузли (розгалуження). Натисканням на елементі правою кнопкою миші можна одержати швидкий доступ до найпростіших операцій над положенням елементу, таким як обертання (rotate), розворот (flip), копіювання/вирізання (copy/cut), вставка (paste). Рисунок 6.14 – Дослідження стабілітрона 6. Проставте необхідні номінали і властивості кожному елементу. Для цього потрібно двічі виконати подвійне натискування лівою кнопкою миші на зображенні елементу. 7 . Коли схема зібрана і готова до запуску, натисніть кнопку ввімкнення живлення на панелі інструментів. У випадку серйозної помилки в схемі (короткого замикання елементу живлення, відсутність нульового потенціалу в схемі) буде видано попередження. 8. Зробіть аналіз схеми, використовуючи інструменти індикації. Виклик термінала здійснюється подвійним натисканням клавіші миші на елементі. У випадку потреби можна скористатися кнопкою Pause. 9. При необхідності зробіть доступні аналізи в розділі меню Analysis. 10. Занесіть пояснення щодо створення схем у звіт. 11. Зробіть висновки. Контрольні запитання Як побудований напівпровідниковий діод? Які типи p-n переходів Ви знаєте ? Перерахуйте складові ємності p-n переходу? Назвіть і коротко охарактеризуйте типи напівпровідникових діодів?

Схожі: