P-n перехід та його застосування в техніці” Виконав Студент ІІ-го курсу 204 групи ІТФ Романюк Богдан Володимирович Керівник Крамар Валерій Максимович Чернівці, 2008р

Скачати 0.74 Mb.

Назва	P-n перехід та його застосування в техніці” Виконав Студент ІІ-го курсу 204 групи ІТФ Романюк Богдан Володимирович Керівник Крамар Валерій Максимович Чернівці, 2008р
Сторінка	8/8
Дата	09.04.2013
Розмір	0.74 Mb.
Тип	Документи

bibl.com.ua > Фізика > Документи

1 2 3 4 5 6 7 8

Звичайно критичний струм в 5-10 разів менше нормального, визначуваного:

Температурну нестабільність струму прийнято характеризувати не приростом струму

, а еквівалентним приростом напруги

. Для струмів близьким до критичних, характерні температурні чутливості 0.5мВ/С, для “надкритичних” +(8ч10)мВ/С.

Той факт, що головна робоча частина МДН - транзистора – канал – граничить безпосередньо з чужорідним середовищем – діелектриком, робить значний вплив на стабільність параметрів. Головний прояв нестабільності полягає в зміні порогової напруги.

При протіканні струму неминуче відбувається обмін електронами між каналом і пастками як, є в діелектричній плівці.

Важливим слідством такого обміну є флуктуації струму – які відносяться до категорії надмірних шумів. Підвищений рівень власних шумів – один з недоліків МДН - транзисторів.

Малосигнальна еквівалентна схема МДН – транзистора (рис. 11.5).
Оскільки мається на увазі робота транзистора на пологих ділянках ВАХ, як опір каналу використовується величина rc. Елементи, що відображають підсилювальну здатність транзистора, є джерела струму

і SU і Sn Uпи. Опір Rзи і Rзc У тому випадку, коли витік сполучений з підкладкою, джерело струму

відсутнє, а опір Rпи і місткість Спи виявляються закороченними. Якщо, крім того, нехтувати опорами діелектрика Rзи і Rзc, одержуємо для даного випадку еквівалентну схему (спрощену), приведену на рис.11.5.б. Ця схема служить основою більшості практичних розрахунків. Походження емностей Сзс і Сзі показано на рис.11.6.. Вони обумовлені так званим перекриттям областей витоку і стоку затвором. По технологічним причинам часто не вдається розташувати електрод затвора точно між шарами П+ .Тоді між краями затвора і цими шарами утворюються паразитні місткості перекриття Сзі і Сзс. Звичайно ці емкості декілька разів менше бар'єрних, але їх роль (особливо місткості Сзс) вельми істотна. Місткість між затвором і каналом Сз в еквівалентній схемі не вказана, оскільки інерційність, що вноситься нею, відображена комплексним характером крутизни.

Інерційність МДН - транзисторів по відношенню до швидких змін управляючої напруги Uзи обумовлена двома чинниками: перезарядом емкості затвора Сз і перезарядженим міжелектродних місткостей.

В комплексній формі крутизна має вигляд:

де

R0 – опір каналу τs < 0.001 нс і fS < 15 ГГц. Такі значення параметрів часто дозволяють нехтувати інерційністю крутизни і вважати, що інерційність МДН – транзистора обумовлена тільки міжелектродними місткостями.

Рис. 11.6

Приклад: КПЗ – 13А – кремнієвий високочастотний з ізольованим затвором і n- каналом. Рмах = 40 МВт при Тс =+85 З, мах частота посилення fp =500 Мгц.

ОСНОВНІ ЗАДАЧІ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ.
Розвиток ЦОМ базується на прогресі електронної техніки і в першу чергу – мікроелектроніки.

Мікроелектроніка – цей новий науково-технічний напрям електроніки, який за допомогою складного комплексу фізичних, хімічних, технологічних і інших методів вирішує проблему створення надійних і економічних мікромініатюрних електронних схем і пристроїв.
В даний час іноді мікроелектроніку не відрізняють від мікромініатюризації апаратури, - це два різні напрями . головною метою мікромініатюризації є забезпечення мінімальних розмірів апаратури з малогабаритних деталей, а мікроелектроніки – створення максимально надійних і економічних схем шляхом особливих технологічних процесів. При рішенні цієї проблеми попутно розв'язується і задача мікромініатюризації.
Головна задача мікроелектроніки - виготовлення максимально надійних елементів і способів їх з'єднань. Зниження робочих потужностей і полегшення режимів роботи, використовування нових схем, а також побудова елементів на нових фізичних принципах.
Друга по важливості задача - зниження вартості схем і пристроїв, зменшення їх габаритів – вирішується шляхом виключення нераціональних операцій, скорочення числа з'єднань, виключаючи роздільну герметизацію елементів і переходу до герметизації схем, вузлів і цілих блоків. Для вирішення цих задач в мікроелектроніці використовуються останні досягнення фізики, хімії, металургії, математики, приладобудування, біології і ряду інших наук і технічних напрямів.
В мікроелектроніці існують дві тенденції розвитку:
1) універсалізація елементів і спрощення виконуваних ними функцій;
2) спеціалізація елементів і ускладнення виконуваних ними функцій.
Перший шлях забезпечує значне спрощення технології виготовлення певних елементів, різко знижує їх вартість, завдяки можливості масового виробництва. Проте у ряді випадків цей шлях приводить до збільшення числа елементів в апаратурі і, відповідно, числа зв'язків між ними, що знижує надійність складних схем в цілому. Цей шлях є перспективним для пристроїв, що складаються з невеликого числа елементів.
Другий шлях приводить до зменшення числа елементів в апаратурі і зв'язків між ними, але підвищує складність початкових елементів, створює необхідність розробки значного числа різних схем, що ускладнює технологію їх виробництва, підвищує вартість.
Розширення і ускладнення класу задач, вирішуваних ЦОМ, привело до значного збільшення габаритів, ваги, вартості машини, зниженню її надійності. Виниклий на шляху розвитку ЦОМ «кількісний бар'єр», зажадав радикального поліпшення елементної бази машин. В середині 50-х років з'явилися перші інтегральні логічні схеми, а в 1961-у році – перша цифрова ЦОМ на інтегральних схемах (вага 285 р. 11 двійкових розрядів, тактова частота 100 кГц)
Можна затверджувати, що розвиток інтегральної мікроелектроніки і значного ступеня визначає технічний рівень багатьох галузей промисловості.

Використана література

Зеегер К. Физика полупроводников. – М.: Наука, 1977. – 615 с.
Киреев П.С. Физика полупроводников. – М.: Высшая школа, 1975. – 584 с.
В.И. Зиненко, Б.П. Сорокин, П.П. Турчин. Основы физики твердого тела. – 333 с.
Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. – М.: Наука, 1978. – 525 с.
Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках.–Л.: Наука, 1970. – 112 с.
Смит Р. Полупроводники. – М.: Наука, 1982. – 558 с.
Цидилковский И.М. Электроны и дырки в полупровдниках. – М.: Наука, 1972. – 585с.
Кроткус А., Добровольскис З. Электропроводность узкощелевых полупроводников. – Вильнюс: Мокслас, 1988. – 174 с.
Мотт Н. Переход металл-диэлектрик. - М.:Мир, 1980, - 275 с.

1 2 3 4 5 6 7 8

Схожі:

Характеристика групи №46 У 46 групі навчається 25 учень, всі хлопці. Вік дітей 15-17 років. Класний керівник Моргун Роман Володимирович	Конспект з філософії Виконав: студент групи ЗІК-01 Гуськов П. А. Київ-2011 ...
1. Загальна характеристика Якщо студент постійно відвідував заняття, успішно виконав усі контрольні завдання впродовж семестру, має позитивну атестацію на підставі...	1. Загальна характеристика Якщо студент постійно відвідував занаття, успішно виконав усі контрольні завдання впродовж семестру, має позитивну атестацію на підставі...
Методические указания по развитию навыков чтения и устной речи по... Якщо студент постійно відвідував заняття, успішно виконав усі контрольні завдання впродовж семестру, має позитивну атестацію на підставі...	Курсової роботи обирається за порядковим номером із переліку робіт... Цивільного та сімейного права України або пов’язана з його професійною діяльності. Самовільна зміна теми курсової роботи без дозволу...
Тема: "Раціоналізм або емпіризм" Виконав студент 12ПМ Шрамко Євген... Введення	СКЛАД Валерій Володимирович заступник міського голови, заступник голови конкурсної комісії
Максим Максимович – «маленька людина» з великою душею. (Роман М.... ...	Вибір варіанту здійснюється від позиції прізвища виконавця в списку... Поняття населення держави і його склад. Громадянство і його значення в сучасних міжнародних відносинах

Додайте кнопку на своєму сайті:
Портал навчання