|
|
Скачати 78.42 Kb.
|
| *Що таке напівпровідниковий діод?$Електронно-дірковий перехід$Напівпровідниковий прилад'що має два виводи$напівпровідниковий прилад з одним електронно-дірковим переходом,що має два виводи$Напівпровідниковий прилад придатний для підсилення електричних сигналів$--+- Пряме ввімкнення напівпровідникового діода зображено на:$рис.а$рис.b$рис.c$рис.d$+--- Зворотне ввімкнення напівпровідникового діода зображено на:$рис.а$рис.b$рис.c$рис.d$-+-- На рис. a) зображена схема для дослідження:$прямої гілки ВАХ напівпровідникового діода$зворотної гілки ВАХ напівровідникового діода$прямої та зворотної гілок ВАХ напівпровідникового діода$схема не придатна для дослідження ВАХ напівровідникового діода$+--- На рис. b) зображена схема для дослідження:$прямої гілки ВАХ напівпровідникового діода$зворотної гілки ВАХ напівровідникового діода$прямої та зворотної гілок ВАХ напівпровідникового діода$схема не придатна для дослідження ВАХ напівровідникового діода$---+ На рис. c) зображена схема для дослідження:$прямої гілки ВАХ напівпровідникового діода$зворотної гілки ВАХ напівровідникового діода$прямої та зворотної гілок ВАХ напівпровідникового діода$схема не придатна для дослідження ВАХ напівровідникового діода$-+-- На рис. d) зображена схема для дослідження:$прямої гілки ВАХ напівпровідникового діода$зворотної гілки ВАХ напівровідникового діода$прямої та зворотної гілок ВАХ напівпровідникового діода$схема не придатна для дослідження ВАХ напівровідникового діода$---+ ВАХ напівпровідникового діода зображена на$рис.а$рис.b$рис.c$рис.d$--+- ВАХ напівпровідникового діода симетрична відносно:$вісі напруг$вісі струмів$початку координат$несиметрична$---+ ВАХ напівпровідникового діода:$перетинає вісь напруг у точці U=+0.6 В$перетинає вісь напруг у точці U=0 В$перетинає вісь напруг у точці U=+0.8 В$не перетинає вісь напруг$-+-- Які робочі прямі напруги германієвих діодів:$0.01-0,08 В$0.8-0,2 В$0.2-0,8 В$0.8-1.5 В$--+- Які робочі прямі напруги кремнієвих діодів:$0.01-0,1 В$0.1-0.7 В$0.7-2 В$2-3.5 В$--+- При однакових прямих струмах напруги на германієвому (Uge) та кремнієвому (Usi) діодах будуть:$Uge>Usi$Uge=Usi$Uge При невеликих зворотних напругах, струми через германієвий (Ige) та кремнієвий (Isi) діоди будуть:$Ige<>Isi$100Ige=Isi$--+- У точці Q статичний (Rст) та динамічний (Rдин) опори будуть:$Rст>Rдин$Rст=Rдин$Rст0;Rдин<0;$+--- У точці Q статичний (Rст) та динамічний (Rдин) опори будуть:$Rст>Rдин$Rст=Rдин$Rст0;Rдин<0;$--+- Якщо Uзвge та Uзвsi- це максимально допустимі зворотні напруги германієвого та кремнієвого діодів відповідно, то:$Uзвge>Uзвsi$Uзвge=Uзвsi$Uзвge Якщо до германієвого та кремнієвого діодів прикладено напруги однаковіза величиною та полярністю, то струми через ці діоди Ige та Isi будуть:$IgeIsi$5Ige=Isi$--+- Що такє напівпровідниковий стабілітрон?$діод,що працює на лінійній ділянці прямої гілки ВАХ$Напівпровідниковий діод, що працює в режимі електричного пробою на зворотній гілці характиристиці ВАХ$точковий діод, що працює при невеликих прямих зміщеннях$Напівпровідниковий прилад, що стабілізує струм у колі$-+-- Робоча ділянка АВ зображена на ВАХ стабілітрона:$рис.а$рис. b$рис. с$рис. d$-+-- Який порядок динамічного опору стабілітрона в робочій області?$декілька мегаом$декілька кілоом$вів долей ома до сотень ом$правильна відповідь відсутня$--+- Напруга стабілізації германієвого стабілітрона дорівнює:$0.8 В$6 В$8 В$не існує$---+ У межах робочої ділянки ВАХ стабілітрона статичний (Rст) та динамічний (rдин) опори будуть:$Rстrдин$Rст>0,rдин<0$--+- Схема ввімкнення приладів на рис. a) придатна для дослідження таких гілок ВАХ стабілітрона:$тільки прямої$частково зворотної$прямої та частково зворотної$жодної$--+- Схема ввімкнення приладів на рис. b) придатна для дослідження таких гілок ВАХ стабілітрона:$тільки прямої$частково зворотної$прямої та частково зворотної$жодної$-+-- Схема ввімкнення приладів на рис. c) придатна для дослідження таких гілок ВАХ стабілітрона:$тільки прямої$частково зворотної$прямої та частково зворотної$жодної$---+ Схема ввімкнення приладів на рис. d) придатна для дослідження таких гілок ВАХ стабілітрона:$тільки прямої$частково зворотної$прямої та частково зворотної$жодної$---+ Якщо на стабілітроні напруга Uст, то то вольтметр V2 покаже:$Uст=Е$Uст+Е$Uст-Е$Uст>Е$--+- При якій полярності напруги працює стабілітрон?$прямій$зворотній$довільній$меншій 0,5 В$-+-- Напруга стабілізації, що характеризує стабілітрон відповідає струму через нього:$Iст min$Iст max$Iст ном$Iст у робочій точці$--+- Якщо до стабілітрона з напругою стабілізації Uст послідовно в зустрічному напрямі під'єднати аналогічний стабілітрон, то напруга стабілізації буде:$2Uст,при зворотній напрузі$2Uст,при прямій напрузі$Uст,при довільній полярності напруги$Uст+0,8 В,при довільній полярності напруги$---+ Що називається тунельним діодом?$діод, на прямій гілці ВАХ якого є ділянка з rдин<0$діод, на зворотній гілці ВАХ якого є ділянка з rдин<0$діод, що працює у режимі лавинного пробою при великих Uзв$діод,через який протікають лише тунельні струми$+--- Яка приблизно концентрація носіїв заряду у тунельному діоді?$10e10 см^(-3)$10e19 см^(-3)$10e8 см^(-3)$10e(-8) см^(-3)$-+-- ВАХ тунельного діода зображена зображена на:$рис. a$рис. b$рис. c$рис. d$-+-- Які матеріали найчастіше використовують для виготовлення тунельних діодів?$кремній$германій та арсенід галія$селен$бор і фосфор$-+-- У тунельному діоді$Uп>Uв,Iп>Iв$UпUв$--+- Умовне графічне позначення тунельного діода зображено на:$рис.а$рис.b$рис.c$рис.d$---+ Якщо діод обернений то:$Iпр>Iзв при /Uпр/=/Uзв/$Iпр=Iзв при /Uпр/=/Uзв/$IпрUпр при /Iпр=Iзв/$--+- Умовне графічне позначення оберненого діода зображено на:$рис.а$рис.b$рис.c$рис.d$---+ У тунельного діода$Сдиф>Сбар$Сбар=0$Сдиф=0$Сбар=Сдиф=0$--+- ВАХ оберненого діода зображено на:$рис.а$рис.b$рис.c$рис.d$---+ У робочій точці Q$Rст>0, rдин>0$Rст=rдин<0$Rст>0, rдин<0$Rст=rдин>0$--+- У робочій точці Q$Rст>0, rдин>0$Rст=rдин<0$Rст>0, rдин<0$Rст=rдин>0$---+ Зонна модель власного "і" напівпровідника зображена на рисунку:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$--+- Зонна модель домішкового напівпровідника р-типу зображена на рисунку:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$-+-- Зонна модель домішкового напівпровідника n-типу зображена на рисунку:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$---+ Зонна модель виродженого напівпровідника р-типу зображена на рисунку:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$+--- Зонна модель ЕДП у рівноважному стані зображена на рисунку:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$--+- Зонна модель ЕДП при дії прямої напруги зображена на рисунку:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$-+-- Зонна модель ЕДП при дії зворотної напруги зображена на рисунку:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$---+ ВАХ ЕДП описується формулою:$a)$b)$c)$d$---+ Струми та напруги ідеального вентиля задовільняють умовам:$a)$b)$c)$d$--+- ВАХ напівпровідникового Діода описується виразом:$a)$b)$c)$d$---+ Для напівпровідникових діодів ТКН складає:$a)$b)$c)$d$---+ Коефіцієнт випрямлення діода Кв це:$a)$b)$c)$d$-+-- Температурний потенціал Фт складає:$a)$b)$c)$d$-+-- Контактна різниця потенціалів Фконт для ЕДП це:$a)$b)$c)$d$---+ Температура подвоєння Т* для кремнія:$a)$b)$c)$d$--+- Температура подвоєння Т* для германія:$a)$b)$c)$d$---+ При зміні температури на 40 градусів зворотній струм через германієвий ЕДП зміниться:$a)$b)$c)$d$---+ При зміні температури на 20 градусів зворотній струм через кремнієвий ЕДП зміниться приблизно?:$a)$b)$c)$d$--+- Яка заступна схема найбільш доцільна при визначенні коефіцієнта випрямлення?$a)$b)$c)$d$+--- Яка заступна схема найбільш доцільна при моделюванні ВАХ кремнієвих діодів?$a)$b)$c)$d$-+-- Яка заступна схема найбільш доцільна при моделюванні діода у режимі малого сигналу?$a)$b)$c)$d$--+- Яка заступна схема найбільш доцільна при моделюванні прямої гілки діода?$a)$b)$c)$d$---+ Зонна модель стабілітрона у робочому стані зображена на рисунку:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$---+ Зонна модель стабістора у робочому стані зображена на рисунку:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$-+-- Нахил енергетичних зон зумовлений:$Градієнтом концентрації носіїв заряду$Процесами інжекції неосновних носіїв$Наявністю електричного поля$Процесами екстракції та рекомбінації$--+- Робочий струм стабістора - це:$Тунельний струм$Лавинний струм$Струм екстракції$Струм інжекції$---+ При сильних електричних полях співрозмірними є такі швидкості:$дрейфова і дифузійна$дифузійна і теплова$дрейфова, дифузійна і теплова$дрейфа і теплова$---+ Який вид пробою типовий для стабілітрона з напругою стабілізації 3,3 В?$тунельний$лавинний$змішаний$ніякий$+--- Який вид пробою типовий для стабілітрона з напругою стабілізації 8 В?$тунельний$лавинний$змішаний$ніякий$--+- Який вид пробою типовий для стабілітрона з напругою стабілізації 15 В?$тунельний$лавинний$змішаний$ніякий$-+-- Який вид пробою типовий для стабістора?$тунельний$лавинний$змішаний$ніякий$---+ Для стабілітрона:$а)$b)$c)$d)$---+ Добротність стабілітрона це:$а)$b)$c)$d)$--+- Для стабістора:$а)$b)$c)$d)$--+- При яких напругах стабілізації можливе нульове значення ТКН?$a)$b)$c)$d)$--+- Як зміниться напруга стабілітрона (Uc=4.7 В) при зростанні температури?$зросте$змінить полярнітсь$зменшиться$без змін$--+- Як зміниться напруга стабілітрона (Uc=15 В) при зростанні температури?$зросте$змінить полярнітсь$зменшиться$без змін$+--- Знайти ТКН стабілітрона з напругою стабілізації (Uc=5.6 В), якщо при зміні температури від -10 до +40 напруга на стабілітроні змінилася на 280 мВ$ТКН=+0,0001$ТКН-0,001$ТКН+0,01$ТКН-0,1$-+-- Яка структура заступної схеми доцільна при моделюванні стабілітрона?$рис. а)$рис. b)$рис. с)$рис. d)$---+ Яка структура заступної схеми доцільна при моделюванні стабілітрона?$рис. а)$рис. b)$рис. с)$рис. d)$+--- ВАХ напівпровідника при ізотермічних умовах зображено на:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$-+-- ВАХ напівпровідника при неізотермічних умовах зображено на:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$---+ Тунельний ефект у напівпровідниках спостерігається при:$високому ступені легування$сильних електричних полях$малій ширині забороненої зони$низьких температурах$-+-- Зонна модель тунельного діода у початку координат має вигляд:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$+--- Зонна модель тунельного діода на зворотній гілці ВАХ має вигляд:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$-+-- Зонна модель тунельного діода у точці піка ВАХ має вигляд:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$--+- Зонна модель тунельного діода у точці впадини на ВАХ має вигляд:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$---+ Прямій гілці ВАХ оберненого діода відповідає зонна модель:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$-+-- Зворотній гілці ВАХ оберненого діода відповідає зонна модель:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$--+- Малосигнальна заступна схема тунельного діода для робочої точки на спадаючій ділянці ВАХ зображено на:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$-+-- Заступна схема оберненого діода зображена на:$рис. а)$рис. b)$рис. c)$рис. d)$--+- Динамічний опір тунельного діода на спадаючій ділянці ВАХ буде:$а)$b)$c)$d)$---+ Коефіцієнт випрямлення оберненого діода це:$а)$b)$c)$d)$---+ Якщо для тунельного діода Іпр=Ізв, то:$а)$b)$c)$d)$---+ При зворотній напрузі на тунельному діоді через нього протікає:$струм інжекції$струм екстракції$тунельний струм$струм провідності$--+- Якщо напруга на тунельному діоді менша від напруги піка (Uп), то через нього протікає:$струм інжекції$струм екстракції$тунельний струм$струм провідності$--+- Якщо напруга на тунельному діоді менша від напруги впадини (Uв), то через нього протікає:$струм інжекції$струм екстракції$тунельний струм$струм провідності$--+- Якщо напруга на тунельному діоді більша від напруги впадини (Uв), то через нього протікає:$струм інжекції$струм екстракції$тунельний струм$струм провідності$+--- Якщо напруга на тунельному діоді більша напруги розкриву (Uр), то через нього протікає:$струм інжекції$струм екстракції$тунельний струм$струм провідності$+--- При зворотній напрузі на оберненому діоді через нього протікає:$струм інжекції$струм екстракції$тунельний струм$струм провідності$--+- |
|
Урок контролю й оцінювання знань Електронний осцилограф – це вимірювальний прилад з електронно-променевою трубкою, призначений для дослідження та реєстрації швидкоплинних... |
Роль людського фактору в автоматизованому виробництві. Перспектива... Мета: Дізнатися про роль людського фактору в автоматизованому виробництві та розвитку електронно обчислювальної техніки |
|
Роботизація та автоматизація виробництва на основі електронно обчислювальної техніки Тема: Роботизація та автоматизація виробництва на основі електронно обчислювальної техніки |
Теоретико-правові питання кваліфікації злочинів у сфері використання... |
|
Атмосферне явище у вигляді осаду крапель води.(роса) Прилад, за допомогою якого визначають концентрації шкідливих речовин.(газоаналізатор) |
ЗАТВЕРДЖУЮ” Начальник Управління цивільного захисту ГУМНС України... Вимірник потужності дози ДП-5В призначений для виміру рівнів гамма-радіації і радіоактивного забруднення різних поверхонь по гамма-випромінюванню... |
|
Струм у вакуумі У електронно-променевих трубках, електронних лампах радіоприймачів і багатьох інших приладах електрони рухаються у вакуумі |
Про закупівлю уніфікованої автоматизованої електронно-облікової системи... |
|
ДОГОВІР № про обслуговування уніфікованої автоматизованої електронно-облікової... |
Про надання доступу до уніфікованої автоматизованої електронно-облікової... |